西安长禾半导体技术有限公司

主营产品:长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。
蒲辰
17792551832
高温门极试验(htgb)测试服务第三方测试中心

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供应商:
西安长禾半导体技术有限公司 进入商铺
所在分类:
仪表 - 电工仪器仪表 - 参数测试仪器
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品牌
长禾
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西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼10310室
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详细介绍

西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区,是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业,是国家cnas 认可实验室,属于国家大功率器件测试服务中心。

长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套,专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准,以客户需求为导向,不断创新服务项目和检测技术,借助便利的服务网络,为合作伙伴提供优质高效的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。

长禾实验室秉承创新务实的经营理念,为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持;同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流,测试技术与服务水平不断提升。

检测项目

覆盖产品

检测能力

参考标准

功率循环试验(pc)

igbt模块

δtj=100℃ 电压电流大1800a 12v

iec 客户自定义

高温反偏试验(htrb)

mosfet、igbt、diode、bjt、scr,第三代半导体器件等单管器件

温度高150℃; 电压高2000v

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

高温门极试验(htgb)

mosfet、sic mos等单管器件

温度高150℃; 电压高2000v

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

高温工作寿命试验(htol)

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件

温度高150℃ 电压高2000v

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

低温工作寿命试验(ltol)

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件

温度低-80℃ 电压高2000v

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

高温储存试验(htsl)

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度高150℃;

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

低温储存试验(ltsl)

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度低-80℃

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

高温高湿试验(thb)

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度高180℃ 湿度范围:10%~98%

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

高低温循环试验(tc)

mosfet、igbt、idiode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度范围:-80℃~220℃

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

间歇寿命试验(iol)功率循环试验(pc)

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等单管器件

δtj≧100℃ 电压电流大48v,10a

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

稳态功率试验(ssol)

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等单管器件

δtj≧100℃ 电压电流大48v,10a

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

高加速应力试验(hast)

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度130℃/110℃ 湿度85%

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

*无偏压的高加速应力试验(uhast)

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度130℃ 湿度85%

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

高温蒸煮试验(pct)

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度121℃ 湿度

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

预处理试验(pre-con)

所有smd类型器件

设备满足各个等级的试验要求

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

潮气敏感度等级试验(msl)

所有smd类型器件

设备满足各个等级的试验要求

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等

*可焊性试验(solderability)

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件

有铅、无铅均可进行

美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等


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