西安长禾半导体技术有限公司

主营产品:长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。
蒲辰
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第三方功率半导体器件测试服务中心长禾实验室

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西安长禾半导体技术有限公司 进入商铺
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仪表 - 电工仪器仪表 - 参数测试仪器
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品牌
长禾
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西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼10310室
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详细介绍

西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区,是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业,是国家cnas 认可实验室,属于国家大功率器件测试服务中心。

长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套,专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准,以客户需求为导向,不断创新服务项目和检测技术,借助便利的服务网络,为合作伙伴提供优质高效的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。

长禾实验室秉承创新务实的经营理念,为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持;同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流,测试技术与服务水平不断提升。

长禾实验室检测能力范围
1功率金属氧化物场效应管1漏源间反向击穿电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3407.1只测: -3.5kv~3.5kv
半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3407只测: -3.5kv~3.5kv
2通态电阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3421.1只测: 0~10k?,,0~1500a
3阈值电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3404只测: -10v~10v
4漏极反向电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3415.1只测: -100ma~100ma
5栅极漏电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3411.1只测: -100ma~101ma
6体二极管压降半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4011.4只测: 0a~1500a
7跨导半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3475.2只测: 1ms~1000s
8开关时间半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3472.2只测: vd:5v~3.3kv, id:100ma~1500a
9半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3472只测: vd:5v~3.3kv, id:100ma~1500a
10体二极管反向恢复时间半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1只测: 10ns~2μs
11体二极管反向恢复电荷半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1只测: 1nc~100μc
12栅极电荷半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3471.3只测: qg:0.5nc~500nc
13单脉冲雪崩能量半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3470.2只测: l:0.01mh~159.9mh, ias:0.1a~1500a
14栅极串联等效电阻功率mosfet栅极串联等效电阻测试方法 jesd24-11:1996(r2002)只测: 0.1ω~50ω
15稳态热阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3161.1只测: ph:0.1w~250w
16半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3161只测: ph:0.1w~250w
17输入电容半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 iec 60747-8:2010 6.3.10只测: -3kv~3kv,0~1mhz
18输出电容半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 iec 60747-8:2010 6.3.11只测: -3kv~3kv,0~1mhz
19反向传输电容半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 iec 60747-8:2010 6.3.12只测: -3kv~3kv,0~1mhz
20老炼试验半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1042只测: 条件a、条件b, vdsmax:3500v, tjmax:200℃
21温度,反偏和操作寿命试验 jesd22-a108f:2017只测: htrb和htgb试验
22间歇功率试验半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1042只测: 条件d(间歇功率)
23稳态功率试验半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1042只测: 条件c(稳态功率)
2二极管1反向漏电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4016.4只测: 0~100ma
半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 4016只测: 0~100ma
2反向击穿电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4021.2只测: 0~3.5kv
3正向压降半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4011.4只测: is:0a~6000a
半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 4011只测: is:0a~6000a
4浪涌电流半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 4066只测: if:0a~9000a
5反向恢复电荷半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1只测: 1nc~100μc
反向恢复时间半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1只测: 10ns~2us
6二极管反压变化率半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3476只测: vr:5v~3300v, if:1a~1500a
7单脉冲雪崩能量半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4064只测: l:0.01mh~159.9mh, ias:0.1a~1500a
稳态热阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3136只测: ph:0.1w~80w
8总电容电荷半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 iec 60747-2:2016 6.1.8只测: -3kv~3kv,0~1mhz
9结电容半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 iec 60747-2:2016 6.1.8只测: -3kv~3kv,0~1mhz
3晶闸管1门极触发电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4221.1只测: 100na~500ma
2门极触发电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4221.1只测: 5mv~5v
3维持电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4201.2只测: 10μa~1.5a
4擎住电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4201.2只测: 10μa~1.5a
5浪涌电流半导体测试方法测试标准 jb/t 7626-2013只测: itsm:0a~9000a
6正向漏电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4206.1只测: 1na~100ma
7反向漏电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4211.1只测: 1na~100ma
8正向导通压降半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4226.1只测: it:0~6000a
9稳态热阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3181只测: ph:0.1w~250w
4晶体管1直流增益半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3076.1只测: 1~50000
2集射极饱和压降半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3071只测: 0~1250a
3集射电极关态电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3041.1只测: 0~100ma
4集基电极关态电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3036.1只测: 0~100ma
5射基极关态电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3061.1只测: 0~100ma
6集射极反向击穿电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3011.2只测: -3.5kv~3.5kv
半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3011只测: -3.5kv~3.5kv
7集基极反向击穿电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3001.1只测: -3.5kv~3.5kv
8射基极反向击穿电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3026.1只测: -3.5kv~3.5kv
9基射极电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3066.1只测: 0v~1250a
10稳态热阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3131.6只测: ph:0.1w~250w
5绝缘栅双极型晶体管1集射间反向击穿电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3407.1只测: -3.5kv~3.5kv
半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3407只测: -3.5kv~3.5kv
2通态电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3405.1只测: 0~1500a
3通态电阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3421.1只测: 0~10k?
4集电极反向漏电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3415.1只测: 0~100ma
5栅极漏电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3411.1只测: 0~100ma
6跨导半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3475.2只测: 1ms~1000s
7开关时间&损耗半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3477.1只测: vd:5v~3.3kv, id:0.5a~1500a
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12只测: 5v~3.3kv
8短路耐受时间半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3479只测: isc:10a~5000a , tsc:1us~50us
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.2.6只测: 5v~3.3kv
9栅极电荷半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3471.3只测: qg:0.5nc~100uc
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.3.9只测: 5v~3.3kv
10二极管反向恢复时间半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 iec 60747-2:2016 6.1.6只测: 5v~3.3kv
11单脉冲雪崩能量半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3470.2只测: l:0.01mh~159.9mh, ias:0.1a~1500a
12栅极串联等效电阻功率mosfet栅极串联等效电阻测试方法 jesd24-11:1996(r2002)只测: 0.1ω~50ω
13稳态热阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3103只测: ph:0.1w~250w
16输入电容半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.3.6只测: -3kv~3kv,0~1mhz
17输出电容半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.3.7只测: -3kv~3kv,0~1mhz
18反向传输电容半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.3.8只测: -3kv~3kv,0~1mhz
19大反偏安全工作区半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.2.5只测: 5v~3.3kv
6通用电子产品1高低温循环试验半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1051只测: 温度: -80℃~150℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm
温度循环 jesd22-a104e:2014只测: 温度: -80℃~150℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm
2高温试验微电子器件试验方法和程序 gjb 548b-2005 1008.1只测: 高温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm
半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1031, 1032只测: 高温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验b:高温 gb/t 2423.2-2008只测: 高温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm
3低温试验电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验a:低温 gb/t 2423.1-2008只测: 低温度:-70℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm
4高温存储寿命试验高温存储寿命试验 jesd22-a103e:2015只测: 高温度:180℃, 容积: 58cm×76cm×75cm
5低温存储寿命试验低温存储寿命试验 jesd22-a119a:2015只测: 低温度:-70℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm


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