检测项目 | 覆盖产品 | 检测能力 | 参考标准 | |||
功率循环试验(pc) | igbt模块 | δtj=100℃ 电压电流大1800a 12v | iec 客户自定义 | |||
高温反偏试验(htrb) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr,第三代半导体器件等单管器件 | 温度高150℃; 电压高2000v | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
高温门极试验(htgb) | mosfet、sic mos等单管器件 | 温度高150℃; 电压高2000v | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
高温工作寿命试验(htol) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件 | 温度高150℃ 电压高2000v | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
低温工作寿命试验(ltol) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件 | 温度低-80℃ 电压高2000v | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
高温储存试验(htsl) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度高150℃; | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
低温储存试验(ltsl) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度低-80℃ | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
高温高湿试验(thb) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度高180℃ 湿度范围:10%~98% | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
高低温循环试验(tc) | mosfet、igbt、idiode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度范围:-80℃~220℃ | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
间歇寿命试验(iol)功率循环试验(pc) | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等单管器件 | δtj≧100℃ 电压电流大48v,10a | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
稳态功率试验(ssol) | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等单管器件 | δtj≧100℃ 电压电流大48v,10a | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
高加速应力试验(hast) | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度130℃/110℃ 湿度85% | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
*无偏压的高加速应力试验(uhast) | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度130℃ 湿度85% | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
高温蒸煮试验(pct) | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度121℃ 湿度 | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
预处理试验(pre-con) | 所有smd类型器件 | 设备满足各个等级的试验要求 | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
潮气敏感度等级试验(msl) | 所有smd类型器件 | 设备满足各个等级的试验要求 | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 | |||
*可焊性试验(solderability) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件 | 有铅、无铅均可进行 | 美军标,国标,jedec,iec,aec,客户自定义等 |
igbt模块可靠性测试室
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