| 功率金属氧化物场效应管 | 1 | 漏源间反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3407.1 | 只测： -3.5kv～3.5kv |
| 半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3407 | 只测： -3.5kv～3.5kv |
| 2 | 通态电阻 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3421.1 | 只测： 0～10k?,,0～1500a |
| 3 | 阈值电压 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3404 | 只测： -10v～10v |
| 4 | 漏极反向电流 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3415.1 | 只测： -100ma～100ma |
| 5 | 栅极漏电流 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3411.1 | 只测： -100ma～101ma |
| 6 | 体二极管压降 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4011.4 | 只测： 0a～1500a |
| 7 | 跨导 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3475.2 | 只测： 1ms～1000s |
| 8 | 开关时间 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3472.2 | 只测： vd：5v～3.3kv， id：100ma～1500a |
| 9 | 半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3472 | 只测： vd：5v～3.3kv， id：100ma～1500a |
| 10 | 体二极管反向恢复时间 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1 | 只测： 10ns～2μs |
| 11 | 体二极管反向恢复电荷 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1 | 只测： 1nc～100μc |
| 12 | 栅极电荷 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3471.3 | 只测： qg：0.5nc～500nc |
| 13 | 单脉冲雪崩能量 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3470.2 | 只测： l：0.01mh～159.9mh， ias：0.1a～1500a |
| 14 | 栅极串联等效电阻 | 功率mosfet栅极串联等效电阻测试方法 jesd24-11:1996(r2002) | 只测： 0.1ω～50ω |
| 15 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3161.1 | 只测： ph：0.1w～250w |
| 16 | 半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3161 | 只测： ph：0.1w～250w |
| 17 | 输入电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 iec 60747-8:2010 6.3.10 | 只测： -3kv～3kv,0～1mhz |
| 18 | 输出电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 iec 60747-8:2010 6.3.11 | 只测： -3kv～3kv,0～1mhz |
| 19 | 反向传输电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 iec 60747-8:2010 6.3.12 | 只测： -3kv～3kv,0～1mhz |
| 20 | 老炼试验 | 半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1042 | 只测： 条件a、条件b， vdsmax：3500v， tjmax：200℃ |
| 21 | 温度，反偏和操作寿命试验 jesd22-a108f:2017 | 只测： htrb和htgb试验 |
| 22 | 间歇功率试验 | 半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1042 | 只测： 条件d（间歇功率） |
| 23 | 稳态功率试验 | 半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1042 | 只测： 条件c（稳态功率） |
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